HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.[1]
| Generation | Einführung | Kanallänge | Gatterverzögerung |
|---|---|---|---|
| HMOS I | 1976 | ≈ 3 µm | 100 ns |
| HMOS II | 1979 | ≈ 2 µm | 30 ns |
| HMOS III | 1982 | ≈ 1,5 µm | 10 ns |
Literatur
- K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund: HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits. Band 16, Nr. 5, Oktober 1981, S. 454–459, doi:10.1109/JSSC.1981.1051622.
Einzelnachweise
- ↑ vgl. Wadhwa: Microprocessor 8085: Architecture Programming And Interfacing. PHI Learning Pvt. Ltd., 2010, ISBN 978-81-203-4013-8, S. 9 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth: Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3-540-62131-7, S. 454.