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Beschreibung
| Beschreibung |
English: Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode |
| Datum | |
| Quelle | Eigenes Werk |
| Urheber | Cepheiden |
| Andere Versionen |
Abgeleitete Werke dieser Datei: HEMT-band structure scheme-en.svg image:HighElectronMobilityTrasistor_Band_Image.PNG |
according to D. J. Widiger, I.C. Kizilyalli, K. Hess, J.J. Coleman: Two-dimensional transient simulation of an idealized high electron mobility transistor. in: Electron Devices, IEEE Transactions on. Vol. 32 Issue 6, 1985, pp. 1092-1102
Lizenz
|
Ich, der Urheberrechtsinhaber dieses Werkes, veröffentliche es als gemeinfrei. Dies gilt weltweit. In manchen Staaten könnte dies rechtlich nicht möglich sein. Sofern dies der Fall ist: Ich gewähre jedem das bedingungslose Recht, dieses Werk für jedweden Zweck zu nutzen, es sei denn, Bedingungen sind gesetzlich erforderlich. |
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|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 13:58, 25. Feb. 2010 | | 480 × 370 (26 KB) | Cepheiden | fixed spacer position |
| 13:17, 17. Jun. 2008 |  | 480 × 370 (28 KB) | Cepheiden | {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Ve |
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